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반도체공학과

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학사과정의 삼성전자 대여장학생 미 선발된 자에게도 등록금을 전액 지원(기숙사비는 개인부담)하며,

삼성전자 대여장학생 시험에 합격하도록 꾸준히 지원합니다.

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① 학사과정 기초 교육과정(1~2학년)은 기존 교육과정과 동일하게 운영합니다.

② 학‧석통합과정 5년동안 교육과정 운영(학사과정 3.5년, 석사과정 1.5년 운영), 학사운영의 기본적인 사항은 DGIST 학칙 및 규정을 따릅니다.

③ 해당 교육과정을 이수하고 소정의 졸업심사에 합격한 자에게 공학사 및 공학석사 학위 수여합니다.

④ 계약학과 석사학위 수여자 중 삼성 대여장학생으로 선발되어 채용된 학생은 삼성전자 채용 후 공정직무를 수행합니다.

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과정

학사

석사

1~4학기

5~7학기

8~10학기

등록금

전액지원

삼성장학생 선발자 대상 전액 지원

기숙사비

실비지원

삼성장학생 선발자 대상 실비 지원

학생지원경비 등

60만원/월 (방학제외)

삼성장학생 선발자 대상

80만원/월 (방학제외)

삼성장학생 선발자 대상

110만원/월


A

1, 2학년 각 여름학기에 대상학교가 지정되어 있으며, 지원을 위해서는 어학성적이 필요합니다.

각 학교별 지원에 필요한 어학성적 기준은 아래 표를 참조하여 주시기 바랍니다.

* FGLP 파견교별 어학성적 요건(23년 기준)

FGLP 파견교별 어학성적 요건(23년 기준)

구분

UC Berkeley

UCLA

Stanford Univ.

Harvard Univ.

Univ. of Wisconsin Madison

Boston Univ.

TOEIC

800

800

800

TOEFL IBT

80

80

100

100

80

84

IELTS(Academic)

6.5

6.5

7.0

7.0

6.5

7.0

*제출하는 어학성적은 지원뿐만 아니라 등록 및 파견 시까지 유효하여하 함.

* Wisconsin은 3..225//4.3 이상의 GPA를 요구하지만 산출된 GPA가 없는 신입생은 제외

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동일합니다.

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계약학과 학생과 타 학과(부) 학생의 전과는 상호 허용하지 않습니다.

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복수전공 또는 부전공이 가능합니다.(단, 전자공학 트랙은 부전공만 가능)

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삼성장학생으로 선발된 학생은 삼성전자 입사를 위해 삼성전자에서 인턴십*(1학점)을 필수 이수하고, 그 외 인턴십은 선택과목으로 운영합니다.

(* 학사과정 ‘국내인턴십’, 석사과정 ‘Internship’)

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학석 전환심사 미 통과 시 학사학위 수여합니다.

석사 졸업 시 석사학위 수여합니다.

A

① 교육과정은 공정 관련 교과목 비중을 높일 수 있는 방향으로 설계합니다.

② ‘DGIST R&D 팹’은 국내 대학 연구용 팹 가운데 최고 수준으로 클린룸, 미진동제어특수장비운영실 등 58대의 반도체 공용장비를 포함, 총 700억원대, 100여대의 첨단장비가 갖춰져 있어 재료분석, 설계, 반도체 소자 제작, 실증까지 한 곳에서 할 수 있습니다. 2021년 산학연 111개 기관이 2만4634건의 장비를 활용해 장비 사용료 수입만 20억원에 달합니다.

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① 반도체공정설계 : 반도체 공정 프로세스를 설계하고, 요구 성능 및 품질 확보를 위한 소자와 최적 Layout 및 Mask를 개발하는 직무입니다.(반도체연구소, 메모리사업부 등)

② 반도체공정기술 : 반도체 공학 지식을 바탕으로 8대 공정기술, 기반기술을 연구/개발하여 생산성을 향상시키는 직무입니다.(메모리사업부, 설비기술연구소 등)

③ 세부사항은 삼성전자 DS 사업부 직무 안내 사이트를 참고하시면 됩니다.

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삼성전자 입사를 위한 절차는 다음과 같습니다.

GSAT/임원면접 통과(4학기) → 학․석통합과정 전환심사 통과(6학기) → 석사과정 졸업 → 삼성전자 입사

삼성전자 대여장학생 선발은 선발시험(GSAT)과 임원 면접에 합격해야 하고 이후 DGIST 자체 학․석통합과정 전환심사 통과 시 석사과정 진입 가능합니다.

석사과정(3학기)을 마치고 학위논문심사를 통해 졸업한 이후 삼성전자 입사가 가능합니다.

만약, 학․석통합과정 전환심사 탈락 시 학사학위로 졸업해야 하며 이 경우 삼성전자 입사는 불가합니다.

(DGIST 기존 대학원 진학 또는 삼성전자 별도 공채를 통한 입사는 가능함)

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삼성전자 대여장학생은 GSAT 시험을 통과하고, 임원 면접을 거쳐 선발됩니다.

GSAT는 4학기(9월경)부터 응시 가능하며, 탈락 후에도 매년 응시 가능합니다.

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선발시험의 주관은 삼성전자에서 전체 위임 및 시행됩니다.

시험 난이도 및 합격률에 대한 정보는 공개되지 않습니다.

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대여장학생 선발시험은 4학기부터 응시 가능하며, 10학기까지 계속 응시 가능합니다.

(10학기는 마지막 학기로, 합격 시 삼성전자 대여장학생 지원은 받지 못 함)

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선발 이후 다음 학기부터(3~5학년 동안) 삼성전자가 학생 개인에게 등록금 및 장학금, 기숙사비 실비를 지원합니다.

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대여장학생 선발시험에 탈락한 경우에도 기초학부생과 동일하게 DGIST에서 등록금을 전액 지원합니다.

다만, 삼성전자 대여장학생이 받는 학생지원경비(70만원)와 기숙사비 실비는 지원 받지 못 합니다.

탈락 후에도 삼성전자 대여장학생 선발시험은 계속 응시 할 수 있으며, 선발 이후 동일한 혜택을 받을 수 있습니다.(소급적용 불가)

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① 통합과정 전환심사 통과한 경우에는 학‧석통합과정 석사학위(5년)으로 졸업 가능합니다.

(단, 석사과정 등록금은 본인부담)

② 계약학과 교육과정 특성을 고려하여 조기졸업 요건*을 만족하지 않고 학사학위(3.5년)로 졸업 가능합니다.

(* 기존 DGIST 기초학부생의 조건(휴학하지 않고 7학기에 졸업학점을 모두 이수하고 평점평균 3.5이상인 자)을 충족하지 않아도 됨)

③ DGIST 일반 대학원 또는 타 대학원 진학 가능합니다.

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삼성전자에 입사하지 않거나 대여장학금 수혜 기간의 2배를 기간이 만료되기 전에 중도 퇴사 시,

대여장학금 전액을 잔여 기간으로 일할 계산한 금액을 삼성전자에 반납해야 합니다.

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① 삼성전자의 지원을 받아 아래와 같이 학생지원경비 금액이 다릅니다.

구분

국비장학생

반도체공학과 장학생

학생지원경비

ㅇ (학부) 월 32.85만원
ㅇ (석사) 월 32만원+Stipend

ㅇ (학부 1~2학년) 60만원
ㅇ (학부 3~4학년) 80만원

ㅇ (학부 3~4학년, 비장학생) 20만원
ㅇ (석사) 110만원
※ 삼성 지원경비 70만원 포함


- 기타 장학제도, 포상제도, AC제도, 국제교류 프로그램(FGLP, DURA, 교환학생) 등은 국비장학생과 동일수준으로 적용 및 지원합니다.

- 단, UGRP, 대학원 인턴십은 제외하며, 반도체공학과 학생 대상 별도 프로그램을 운영합니다.


② 기초학부생은 학생지원경비에 기숙사비가 포함되어 있으나,

반도체공학과 학생은 기숙사비 실비(1~2학년은 전체학생. 3~5학년은 대여장학생만)를 삼성전자에서 별도로 추가 지원합니다.