- 현 DGIST 전기전자컴퓨터공학과 교수, AEDRG 연구실 (2011~ )
- 삼성종합 기술원, 수석 연구원 1996.01 ~ 201.01
- University of Cambridge, IFM, Visiting Professro, 2017
- University of Cambridge, Electrical Engineering 박사
- 장재은 교수는 삼성전자 종합기술원에서 차세대 반도체, 디스플레이의 설계 및 공정 개발을 15년간 수행함. FRAM, 1T-1R구조 등의 연구와 차세대기술인 NEM기반 메모리 소자와 이온이동 기반 소자의 기반 아이디를 도출하고 이에 대한 소자 설계 및 공정 등의 연구를 수행함.
- NEM기반 메모리는 세계최초의 연구성을 평가받아 Nature Nanotechnology(2006)에 개제되었으며, 관련 연구들이 IEEEtran. Industrial Electronics, IEEE EDL, Advanced Material, Advanced Functional Material, Scientific Reports등 100여건이상의 논문과 100여건 이상의 특허 출원 및 등록함.
- 본 사업에서는 ‘반도체 소자 설계 및 차세대 공정’ 에 대한 강의를 담당할 예정임.